(路透社)-德國半導體制造商英飛凌周三表示，將在不斷增長的氮化鎵(GaN)芯片市場中占有很大份額，此前英飛凌宣布了一項技術突破，稱該突破將降低成本。

　　英飛凌首席執行官Jochen Hanebeck告訴記者，到本十年末，這項技術的市場規模將達到數十億美元。

　　“我們希望塑造市場，”他補充說。

　　GaN是芯片制造中硅的替代品，GaN芯片因其效率，速度，重量輕以及在高溫條件和高壓下工作的能力而受到青睞。

　　這種芯片可以為筆記本電腦、智能手機和電動汽車等設備制造更小的充電器。

　　Hanebeck告訴記者:“我們預計未來幾年氮化鎵芯片的市場價格將接近硅的價格。”

　　英飛凌(Infineon)已經能夠在300毫米晶圓上生產GaN芯片，該公司稱贊這是全球首創。

　　Hanebeck表示，300mm晶圓上可以容納的GaN芯片是200mm晶圓上的2.3倍，從而降低了生產成本。

　　(Hakan Ersen報道，Louis van Boxel-Woolf寫作，Rachel More編輯)

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